十(shi)堰(yan)酸霧凈化塔(ta)  有機廢(fei)氣處(chu)理設(she)備

氣體(ti)凈化與特種氣體(ti)除雜(za)——吸附(fu)  多晶硅(gui)，灰色金屬光(guang)澤，溶(rong)于氫氟(fu)酸和(he)(he)硝酸的混(hun)酸中(zhong)， 不溶(rong)于水、硝酸和(he)(he)鹽(yan)酸。高溫熔融狀(zhuang)態下，具(ju)有較(jiao)大的化學活潑性(xing)質(zhi)，能(neng)與幾乎任何材料作用，具(ju)有半(ban)導體(ti)性(xing)質(zhi)，是極為重要(yao)的優(you)良半(ban)導體(ti)材料，但是微量的雜(za)質(zhi)即可大大影響其導電(dian)性(xing)。

電子工業中廣(guang)泛應(ying)用于制造(zao)各(ge)類產品，由干(gan)燥硅(gui)粉與干(gan)燥氯(lv)化氫氣體(ti)在一定條件(jian)下氯(lv)化，再經冷凝、精餾(liu)、還原而得。

多晶硅(gui)(gui)是(shi)生產(chan)單晶硅(gui)(gui)的(de)(de)直接(jie)原料，是(shi)當(dang)代(dai)人工智能、自動(dong)控(kong)制、信(xin)息(xi)處(chu)理、光電(dian)轉換等半導體器件的(de)(de)電(dian)子信(xin)息(xi)基礎(chu)材料，被稱為(wei)“微電(dian)子大廈的(de)(de)基石"。

而在生產過程中由(you)于氣(qi)體(ti)雜質(zhi)的(de)存在，對半導(dao)體(ti)材(cai)料的(de)危害也是很大的(de)，為(wei)了得(de)到高質(zhi)量的(de)多晶硅(gui)和單(dan)晶硅(gui)，因此在氣(qi)體(ti)前必(bi)須將氣(qi)體(ti)進(jin)行凈化(hua)。凈化(hua)的(de)方法有(you)很多，在氣(qi)體(ti)凈化(hua)技術(shu)中，經常綜(zong)合運用以(yi)下幾個方面的(de)知識；

十堰(yan)酸霧凈化(hua)塔(ta)  有機廢(fei)氣處(chu)理設(she)備(bei)

1. 用吸濕性液體干燥(zao)劑（液堿、硫酸等）進行吸收；

2. 用固體干燥劑：KOH、CuSO4、CaCl2過氯酸鎂等進行化學吸收，用硅膠、
   分子篩等進行物理吸(xi)收；

3. 用催(cui)化(hua)劑進行化(hua)學(xue)催(cui)化(hua)；

4. 用冷媒(mei)或(huo)冷劑（液態氮等）進行低溫冷凍；

其中(zhong)吸(xi)附(fu)劑(ji)的(de)種(zhong)類有(you)很(hen)多，目前(qian)我國半導體工業中(zhong)應用(yong)的(de)還是硅膠分子篩酯類的(de)吸(xi)附(fu)劑(ji)。

化(hua)學(xue)催化(hua)反應是指存在(zai)于氣(qi)體(ti)中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)有害雜(za)(za)質有時不能靠物理的(de)(de)(de)(de)(de)方(fang)(fang)法(fa)從(cong)氣(qi)體(ti)中(zhong)(zhong)去除，而是借助(zhu)催化(hua)劑的(de)(de)(de)(de)(de)作用，使(shi)氣(qi)體(ti)中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)雜(za)(za)質被吸附在(zai)催化(hua)劑表(biao)面，使(shi)雜(za)(za)質與氣(qi)體(ti)中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)其(qi)他組分相互起化(hua)學(xue)反應轉化(hua)為無(wu)害的(de)(de)(de)(de)(de)化(hua)合物，這(zhe)猴子那(nei)個方(fang)(fang)法(fa)被稱(cheng)為化(hua)學(xue)催化(hua)。

海普(pu)開發(fa)的氣體凈化與(yu)特種氣體除雜——吸(xi)附工藝，采用(yong)自(zi)主研發(fa)的吸(xi)附催(cui)化產品，可針對(dui)性解決半(ban)導體行(xing)業中的氣體凈化與(yu)特種氣體除雜。