空氣廢氣處理設備--淮安吸收法采用(yong)低揮發或(huo)不(bu)揮發性溶劑對(dui)VOCs進(jin)行吸(xi)收(shou)，再利用VOCs和吸(xi)收(shou)劑物理性質的差(cha)異進(jin)行分離。

含(han)VOCs的氣體自吸收塔(ta)底部進入塔(ta)內，在上(shang)升過程中與(yu)來自塔(ta)頂的吸收劑逆流(liu)接觸，凈(jing)化后的(de)氣(qi)體由塔(ta)頂(ding)排出。吸收了VOCs的(de)吸收劑通(tong)過熱(re)交換(huan)器后，進入汽提塔(ta)頂(ding)部，在(zai)溫(wen)(wen)度高于吸收溫(wen)(wen)度或壓(ya)力(li)低于吸收壓(ya)力(li)的(de)條件下解(jie)吸。解吸(xi)后的吸(xi)收劑經過溶(rong)劑冷凝器(qi)冷凝后回到吸(xi)收(shou)塔(ta)。解吸(xi)出的(de)VOCs氣(qi)體(ti)經(jing)過冷凝器、氣液分離器后(hou)以較純的(de)VOCs氣體離開汽提塔，被回收利用。該工(gong)藝(yi)適合于VOCs濃度(du)較高(gao)、溫度(du)較低的(de)氣體凈(jing)化，其他情(qing)況下需要(yao)作相應的(de)工(gong)藝(yi)調整。

在用多孔性固體物質處理(li)流體混(hun)合物時(shi)，流體中(zhong)的某(mou)一組(zu)分(fen)或某(mou)些組(zu)分(fen)可(ke)被吸(xi)表(biao)面并濃集其(qi)上，此現象稱為吸(xi)附。吸(xi)附處理(li)廢氣(qi)時(shi)，吸(xi)附的對象是氣(qi)態污(wu)染(ran)物，氣固吸附。被吸附的氣體(ti)組分稱(cheng)為吸附質(zhi)，多孔固體(ti)物(wu)質(zhi)稱(cheng)為吸附劑。

固體表面吸附(fu)了吸附(fu)質后，一部被吸附(fu)的吸附(fu)質可從吸附劑表面脫離(li)，此(ci)現(xian)附(fu)(fu)。而(er)當(dang)吸(xi)(xi)附(fu)(fu)進行一段時間后(hou)，由于表面吸(xi)(xi)附(fu)(fu)質的(de)(de)(de)濃集，使其吸(xi)(xi)附(fu)(fu)能力(li)明顯下(xia)降而(er)吸(xi)(xi)附(fu)(fu)凈化的(de)(de)(de)要求，此(ci)時需(xu)要采用一定(ding)的(de)(de)(de)措施使吸(xi)(xi)附(fu)(fu)劑上已吸(xi)(xi)附(fu)(fu)的(de)(de)(de)吸(xi)(xi)附(fu)(fu)質脫附(fu)，以協的吸附(fu)能力，這個過程(cheng)稱為吸附(fu)劑的再生。因此在實際吸附(fu)工程(cheng)中，正是(shi)利用(yong)吸附(fu)一再生一再吸附(fu)的循(xun)環(huan)過程(cheng)，達到除去廢(fei)氣(qi)中污染物(wu)質并回收(shou)廢(fei)氣(qi)中有用組分。

燃燒法用于處理高濃度Voc與有惡臭的化(hua)合物很(hen)有效，其原理是(shi)用過量(liang)的空氣使(shi)這些(xie)雜(za)質燃(ran)燒，大多數生成二氧化(hua)碳和水蒸氣，可(ke)以排放到大氣中。但當處理含(han)氯和含硫的有機化合物時，燃燒(shao)生(sheng)成產物中HCl或(huo)SO2，需(xu)要對燃燒(shao)后氣體進一(yi)步處理。

空氣廢氣處理設備--淮安等離子(zi)體就是處于電離狀態的氣體(ti)，其英文名稱(cheng)是plasma，它是由美(mei)國科學(xue) muir，于1927年在研究低氣壓下汞蒸氣(qi)中放電現象(xiang)時命名(ming)的。等離(li)子(zi)體由(you)大量的子(zi)、中性原子、激(ji)發態原子、光子(zi)和(he)自由基等組成(cheng)，但電(dian)子(zi)和(he)正離子(zi)的電(dian)荷(he)數必須(xu)體表現出電中性，這就是(shi)"等離子(zi)體(ti)"的(de)含(han)義。等離子(zi)體(ti)具有(you)導(dao)電(dian)和受電(dian)磁影響的(de)許(xu)多方面與固體(ti)、液體(ti)和氣體(ti)不同，因此(ci)又有(you)人把它稱為物質的(de)第四種(zhong)狀(zhuang)態。根據(ju)狀(zhuang)態、溫度和離(li)子(zi)密(mi)度(du)，等離(li)子體(ti)通(tong)常可(ke)以分(fen)為高(gao)溫等(deng)離(li)子體和低溫(wen)等離(li)(li)子(zi)體(ti)(包子(zi)體(ti)和冷等離(li)(li)子(zi)體(ti))。其中高溫(wen)等離(li)(li)子(zi)體(ti)的電(dian)離(li)(li)度接近(jin)1，各種粒子溫度幾乎相同系處(chu)于熱力學(xue)平衡狀(zhuang)態(tai)，它主要(yao)應用(yong)在受控熱核(he)反應(ying)研究方面(mian)。而低溫等離子體則學非平衡狀態，各種粒子溫度并(bing)不(bu)相同。其中電子溫度( Te)≥離子溫(wen)度(Ti)，可達104K以上，而其離子和中性(xing)粒子(zi)的(de)溫度(du)卻(que)可低到300~500K。一(yi)般(ban)氣體(ti)放電子體(ti)屬于低溫等離(li)子體(ti)。

截至2013年(nian)，對低溫等(deng)離子體的作用(yong)機理研究認為是粒子非彈(dan)性碰撞的結果。低溫等離(li)富含電子、離(li)子、自由基和激發態分子(zi)(zi)，其(qi)中高能電(dian)子(zi)(zi)與氣(qi)體(ti)分子(zi)(zi)(原子(zi)(zi))發(fa)生撞(zhuang)，將能量轉換成基(ji)態分(fen)子(原子)的內能，發(fa)生激發(fa)、離解和(he)電(dian)離(li)等一(yi)系列過秸處于活化狀態。一(yi)方面打開了(le)氣(qi)體分子鍵(jian)，生成一(yi)些單分(fen)子和固體微(wei)粒;另一(yi)力(li)生.OH、H2O2.等自由基和氧(yang)化性*的O3，在這(zhe)一(yi)過程中(zhong)高(gao)能電子(zi)起決定(ding)性作用，離子(zi)的熱運動只有副作用(yong)。常(chang)壓(ya)下，氣體放電(dian)產生(sheng)的(de)(de)高度非(fei)平(ping)衡等離(li)子體(ti)中電子溫(wen)層氏度)遠(yuan)高于(yu)氣體(ti)溫(wen)度(室溫(wen)100℃左右)。在非(fei)平(ping)衡等離(li)子體(ti)中可(ke)能(neng)發生(sheng)各(ge)種類(lei)型的(de)(de)化學(xue)反(fan)應，主要決定于(yu)電子的(de)(de)平(ping)均(jun)能(neng)量、電子(zi)密度、氣體溫(wen)度(du)、有害氣體分子濃(nong)度(du)和(he)≥氣體成分。這(zhe)為一(yi)些需要很大活化能的反應如(ru)大氣(qi)中難降解(jie)污染(ran)物的去除(chu)提(ti)供了(le)另(ling)外(wai)也可(ke)以對低濃(nong)度、高流速、大風量的含揮發性有機污染物(wu)和含(han)硫類污染物等進(jin)行處理(li)。

常(chang)見的產(chan)(chan)生等離(li)子體(ti)(ti)(ti)的方法是氣(qi)體(ti)(ti)(ti)放(fang)(fang)電(dian)(dian)，所(suo)謂氣(qi)體(ti)(ti)(ti)放(fang)(fang)電(dian)(dian)是指通(tong)過某種(zhong)機制(zhi)使一電(dian)(dian)子從氣(qi)體(ti)(ti)(ti)原子或(huo)分子中電(dian)(dian)離(li)出(chu)來，形成的氣(qi)體(ti)(ti)(ti)媒質稱為電(dian)(dian)離(li)氣(qi)體(ti)(ti)(ti)，如果(guo)電(dian)(dian)離(li)氣(qi)由外(wai)電(dian)(dian)場產(chan)(chan)生并形成傳(chuan)導(dao)電流，這(zhe)種現(xian)象稱為氣體放電。根據放(fang)電產(chan)生的(de)機理、氣體(ti)的(de)壓j源性質以及(ji)電極(ji)的(de)幾(ji)何(he)形狀、氣體放電(dian)等離子(zi)體主要分(fen)為以(yi)下(xia)幾種形(xing)式(shi):①輝光放(fang)電;③介質阻擋放電;④射頻放電;⑤微波放電。無論哪一種形式產生的等離子體，都需要高壓放(fang)電(dian)。容易打火(huo)產生危險。由于對諸如氣態污染物的治理，一般要求在常壓下進行。

5、光(guang)催化和生物凈(jing)化設備

光(guang)催化是常溫(wen)深度反應技術(shu)。光(guang)催化氧化可在(zai)室溫(wen)下(xia)將水(shui)、空氣和土壤(rang)中有機污染物(wu)*氧化(hua)成無毒(du)無害的(de)(de)產物，而傳統的(de)(de)高(gao)溫焚燒技術(shu)則需(xu)要在*的(de)(de)溫度下才可將污染物摧毀，即使用常規的(de)(de)催化(hua)、氧化(hua)方(fang)法亦需(xu)要的(de)(de)高(gao)溫。

從理論(lun)上講，只(zhi)要半導體吸收(shou)的(de)光能不(bu)小于其帶隙能，就(jiu)足以(yi)激發產(chan)生電子(zi)和空穴，該半(ban)導體就(jiu)有可能用作光催化劑。常見的單一化(hua)合物光催化(hua)劑多為金屬氧化(hua)物或硫化(hua)物，如(ru) Ti0。、Zn0、ZnS、CdS及PbS等(deng)。這些催(cui)化(hua)劑各自對特定反(fan)應有突(tu)出優點，具體研究中(zhong)可根據需要選(xuan)用，如(ru)CdS半導體帶隙(xi)能較(jiao)小，跟太陽光譜(pu)中的(de)(de)近(jin)紫(zi)外光段有較好(hao)的(de)(de)匹配性能，可以很好(hao)地利用自(zi)然光能，但它容(rong)易發生光腐蝕，使用壽命有限(xian)。相對而言，Ti02的(de)(de)綜合性能較好(hao)，是使用和研究的(de)(de)單一化合物光催化劑。